【時報-台北電】儘管美國持續實施科技圍堵，大陸科技大廠華為及其製造夥伴、大陸晶圓代工龍頭中芯國際，仍在半導體自主技術上取得突破。市調機構TechInsights最新報告指出，經拆解分析華為新款智慧手機Mate 80 Pro Max後發現，其搭載「麒麟9030晶片」採用中芯國際改進版的製程技術，這也是大陸迄今最先進的本土晶片製造技術。

　綜合外媒報導，TechInsights於11日發表報告指出，新款晶片反映出中芯國際已達到超越前代產品「漸進但實質性」的製程突破。華為與中芯國際都被列入美國「實體清單」，意味它們無法取得應用材料（Applied Materials）、艾司摩爾（ASML）等大廠的最先進的半導體製造設備。美國政府以國安風險及與軍方關聯為由，切斷華為與中芯獲取先進晶片技術的管道，這對其生產能力構成極大障礙。

　從技術細節看，「麒麟9030晶片」採用中芯國際的「N＋3」製程量產，該節點可視為前一代7奈米（N＋2）製程的改進版本。但「N＋3」製程與台積電、三星目前的5奈米製程相比，在效能上仍存在明顯差距。

　「N＋3」製程最大的挑戰在於設備限制。由於無法取得先進的極紫外光（EUV）微影設備，中芯國際只能利用現有的深紫外光（DUV）設備進行生產。為了達到更精細的線路寬度，中芯必須採用極為激進的多重曝光技術，將單次圖形精度壓縮至極限，這大幅增加製造的複雜度。

　報告進一步分析，這種強行推進先進製程的做法雖然技術上可行，但代價高昂。多重圖形化導致製程步驟繁複，缺陷風險顯著上升，進而影響良率。分析師認為，「麒麟9030晶片」目前可能處於「技術展示大於經濟效益」的階段，其生產成本高昂，且部分晶圓可能需透過降頻或降規方式才能出貨。

　針對外界關注設備陸產化的猜測，分析指出，雖然中芯9月傳出，正在測試陸本土研發的DUV設備，但其性能目前僅能支援28奈米製程。因此，「麒麟9030晶片」所採用的「N＋3」製程，在微影環節極有可能仍高度依賴庫存的ASML DUV機台，短期內難以完全擺脫對外國設備的依賴。(新聞來源 : 工商時報一蘇崇愷／綜合報導)