【時報-台北電】晶圓代工廠聯電14日宣布，推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓（eHV）FinFET製程技術平台，並已提供製程設計套件（PDK）供客戶進行產品設計導入。法人認為，在AI、高階智慧手機與折疊裝置持續推升高解析度與低功耗需求下，聯電持續深化特殊製程布局，顯示驅動IC與高壓製程技術可望成為未來營運重要成長動能之一。

　聯電表示，此次推出的14奈米eHV FinFET平台，已於12A廠完成驗證，相較目前量產中最先進的22奈米eHV解決方案，可降低約40％功耗，同時縮小約35％晶片面積，有助提升電池續航力，並支援更輕薄、小型化的驅動模組設計，主要瞄準高階OLED與折疊式智慧型手機顯示應用。

　聯電指出，在數位電路部分，14奈米平台採用FinFET元件取代傳統平面電晶體，透過最佳化I/O元件設計與更高驅動速度，進一步提升電氣效能與訊號完整性，同時支援高解析度顯示應用所需的高刷新率。此外，優化後的中電壓元件也具備更小線寬間距，並可支援更廣泛的電壓操作範圍，讓驅動IC設計具備更高彈性。

　聯電技術研發副總經理徐世杰表示，顯示應用已無所不在，市場需求也持續朝向更高畫質、更快速度與更低功耗發展。此次14奈米eHV平台推出，也是聯電首次將FinFET技術導入顯示驅動IC領域，具有重要里程碑意義。隨著客戶產品功能持續升級，聯電將持續透過領先製程技術，協助客戶將創新設計導入量產。

　聯電長期深耕OLED顯示驅動IC市場，目前也是業界唯一提供22奈米顯示驅動IC解決方案的晶圓代工廠。公司表示，憑藉完整的eHV製程技術、IP資源與設計支援能力，目前高壓製程平台已涵蓋0.6微米至14奈米，可為顯示產業提供完整解決方案。(新聞來源 : 工商時報一張瑞益／台北報導)