【時報-台北電】台積電宣布兩年內逐步退出GaN（氮化鎵）晶圓代工業務及國際大廠Wolfspeed宣布破產重組後，功率元件市場迎來新的競爭新局；除台廠力積電外，英飛凌、瑞薩電子正加大力道投入GaN量產。台灣功率元件業者透過技術迭代迎戰，富鼎（8261）以自有高壓製程技術與代工廠密切合作；博盛半導體（7712）建立研發中心，有利鞏固並擴大客戶基礎。

　甫於去年12月宣布和日本羅（ROHM）就車載GaN功率元件達成戰略夥伴關係，台積電今年7月急流勇退，第三季前接受GaN業務之最後訂單（LTB）。不過產能缺口由力積電補上，英飛凌、瑞薩也正在加大投資GaN，業界研判，功率元件市場邁入關鍵分水嶺。

　在AI時代下，功率元件追求更高效率、更低功耗已成趨勢，伺服器、散熱風扇之電源供應器，將成相關業者營收成長來源。富鼎今年上半年合併營收15.34億元，相較去年同期成長15.9％，成受惠公司之一；法人預估全年合併營收年成長將達雙位數。

　透過自有的Super junction高壓製程技術，與韓系晶圓代工廠共同開發，富鼎在代工能取得更佳的成本，另外，在國巨入主下，找到利潤及訂單量適當的來源，以確保成本優化的銷售策略成功；從其首季度毛利率達37％顯見成效漸顯。

　富鼎與類比IC合作之DrMOS產品於今年進入量產，第三代半導體如SiC MOSFET也開始因應客戶需求進行試產。

　深耕車用半導體市場之博盛半導體持續投入研發，於竹北自建研發中心，預計將為未來發展AI、航太之中樞。現今電源設計講求高頻率、高效率及高集成，博盛領先業界開發出ASEMM（特屬應用強化）模組，採最新製程的晶圓，輔以先進的無打線封裝製程，並以銅柱製程取代傳統的金、銅或鋁線。

　高壓MOSFET轉向碳化矽與GaN趨勢明顯，相關業者分析，SiC適用於高壓高功率產品，GaN則應用於中低功率、高頻率產品，未來第三代半導體仍是不可或缺的重要元件。(新聞來源 : 工商時報一張珈睿／台北報導)