【財訊快報／研究員吳旻蓁】茂矽(2342)今年車用產品仍為主要支撐動能，並逐步疊加新產品貢獻。旗下高壓MOSFET、IGBT、TVS及碳化矽（SiC）等新產品平台陸續推進；其中，既有高壓MOSFET訂單穩定，主力N-channel與P-channel Trench MOSFET，應用於電機控制、電源轉換器及電源管理，目前已具備成熟客戶與穩定訂單。在碳化矽新品方面，目前SiC MOSFET與JBS平台基礎架構已大致完成，已有客戶進入試產與樣品驗證階段，預計下半年進入小量量產，可望成為明、後年重要成長引擎。

另一大重點產品線IGBT與FRED，較成熟的產品包括400V（PT）IGBT，以及650V、1200V非貫穿型（NPT）IGBT，應用涵蓋相機閃光燈、汽車點火系統、電機控制、微型逆變器及家用儲能系統。較新的1200V場截止（FS）IGBT及搭配的內建快速恢復二極體（FRD），目前在驗證階段，未來將瞄準中功率與大功率模組應用，預期今年可望開始貢獻部分營收。

技術面來看，股價箱型區間震盪，今突破區間高點，若後續站穩區間高，短期均線向上發散，則有利多方。