【時報-台北電】大陸持續加速半導體國產替代，大陸存儲晶片製造龍頭長鑫存儲（CXMT）傳已啟動12層堆疊高頻寬記憶體HBM的大規模生產。不僅代表長鑫存儲具備最高階AI硬體生產的能力，其與三星、SK海力士等領頭企業的技術差距正顯著縮小。

　快科技報導，長鑫存儲從2023年開始進入HBM領域，至今僅三年，就實現了12層HBM的關鍵技術突破。專家指出，HBM製造的核心難點，包含DRAM層精準鍵合在內的垂直堆疊高難度制程。

　由於美國限制EUV（極紫外線）光刻設備不得向大陸出口，長鑫轉與大陸設備商如北方華創、中微公司合作，發展專用的蝕刻與封裝設備以實現技術堆疊。長鑫存儲對12層堆疊技術的完整掌握，體現了大陸本土半導體企業已達先進發展水準。

　綜合陸媒報導，長鑫存儲在2024年成功量產DDR5 DRAM，並解決散熱等問題後，2025年下半年的平均良率已突破80％，接近市場主流規格標準。之後長鑫存儲將成功經驗運用到HBM研發上，去年底就傳出已向華為等大陸客戶交付16奈米製程的HBM3（第四代高頻寬記憶體）樣品，預計2026年實現全面量產。

　產業觀察家表示，三星電子、SK海力士主導全球HBM市場，目前長鑫存儲與兩家韓系龍頭的製造能力差距，縮短至不到三年。

　在量產布局上，長鑫存儲選擇以規模擴大市場影響力。據悉，該公司將DRAM總產能的約20％全部投入HBM製造，完成產能轉型後，其HBM月晶圓產能可達6萬片。目前長鑫存儲的生產良率仍低於韓國競爭對手，現階段核心目標是滿足大陸AI產品的市場需求，為進軍國際市場做戰略布局。

　為維持發展態勢、擴大產能規模，長鑫存儲正計畫通過IPO募集42億美元資金。這筆資金將用於新建HBM生產設施、升級現有DRAM製造中心。目前該公司正與大陸國內外設備供應商密切合作，核心生產基礎設施預計2026年完成建設，資金也將助其優化鍵合技術與熱管理系統。

　產業專家預測，全球存儲產業競爭的下一階段，將聚焦16層堆疊與混合鍵合技術的研發與落地，料將是長鑫存儲未來亟欲突破的技術關卡。(新聞來源 : 工商時報一黃欣／綜合報導)