隨著AI資料中心、電動車、再生能源與先進封裝對碳化矽（SiC）需求倍增，國內碳化矽（SiC）材料廠格棋位於中壢一廠正式投入量產，中壢二廠則持續建置，規劃擴充8吋量產能力並建立12吋試產線。

格棋以台灣作為研發、製造與技術決策中心，主要生產據點位於桃園中壢。該公司表示，目前產品涵蓋6、8、12吋導電型SiC晶錠與晶圓、6、8吋半絕緣型SiC晶錠與晶圓、導電型籽晶及高純度碳化矽粉。格棋以原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與結構穩定性為核心，累積逾千次晶體生長經驗，並將SiC晶體缺陷密度壓低至100/平分公分以下，提升大尺寸晶圓量產所需的一致性與可靠度。

格棋採取以台灣為軸心的全球供應鏈策略，透過在地製造與國際客戶合作，服務範圍已涵蓋日本、美國、歐洲與台灣市場，客戶類型包括半導體晶圓代工廠、SiC元件製造商、功率模組與系統整合商，以及AI基礎建設相關業者。

隨著AI資料中心、電動車、再生能源與先進封裝快速發展，功率元件正朝高電壓、高頻率與高功率密度演進，材料品質成為系統穩定運作的基礎。SiC具備高崩潰電場、高熱導率與高溫運作優勢，過去多應用於電動車與再生能源系統，如今在AI資料中心電源架構、先進封裝散熱與高效能運算平台中，重要性持續提升。

此外，近日格棋獲頒第22屆台灣金根獎。該公司以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎，展現自2022年成立以來，持續投入SiC材料、長晶製程與大尺寸晶圓技術的成果。董事長熊觀明指出，第三代半導體是台灣下一個10年的重要戰略機會，此次獲得金根獎，代表產業對台灣建立關鍵材料自主能力的期待。

除產能與市場布局外，格棋也積極推動產學研合作，強化長期技術能量。公司與國立臺灣大學、國立成功大學、工業技術研究院及產業夥伴合作，投入SiC加工、先進封裝微結構、長晶技術與無損檢測等研發；國際合作方面，格棋亦已與美國普渡大學簽署合作備忘錄，拓展SiC材料與高功率應用技術交流。