AI生成式運算的爆發式成長，正推動全球資料中心進行一場史無前例的電力系統架構轉型。當資料中心從傳統54V、48V架構，甚至400V往800V高壓直流電(HVDC)邁進，供電系統的每一道轉換環節都要重新設計，功率半導體也從成熟製程裡的配角，變成具備含金量的核心元件。

其中最關鍵的轉捩點，在於800V架構對元件耐壓與功率密度的嚴苛要求。根據輝達的規劃，全球AI機架功率密度已從過去10至15kW快速躍升至1MW級別，這意味著單座MW等級的800V資料中心，對功率半導體的消耗量將是傳統架構的3至4倍。若排除AI的強勁需求，汽車產業原是功率半導體的最大下游市場(占比約3成)，主要應用於電機驅動、充電樁與車載空調，但現在AI伺服器已成為功率半導體產值上升的新動能。

值得一提的是，功率半導體正深陷供需失衡的難題。這些功率元件的生產以成熟製程的8吋晶圓為主，研調機構TrendForce曾預估，台積電(2330)、三星持續削減8吋晶圓產能，至27年上半年之前仍將負增長，晶圓廠在8吋製程的平均產能利用率將從去年底的80%攀升至90%之上。一方面市場需求激增，另一方面全球8吋成熟製程產能縮減，加上原材料與封測成本齊漲，使產業面臨雙重壓力。尤其單台AI伺服器對高壓MOSFET、電源管理的需求更高，業界人士透露，升級後的高壓MOSFET耐壓程度須達1200V，一片8吋晶圓僅能切割出數百顆晶片，遠低於600V規格的千顆級產出量，進一步加劇8吋晶圓的緊缺程度。

MOSFET全名為金屬氧化物半導體場效電晶體，是功率半導體中最常見的開關元件，負責快速導通與切斷電流，廣泛用於電源供應器、DC-DC轉換器、風扇馬達、電池管理系統、車用電控與伺服器電源架構。依照不同導電特性可分為NMOS、PMOS、CMOS3種，在終端應用上大致區分為低壓、中壓及高壓3種類型。近年趨勢也由原本的低壓消費性電子，轉向AI伺服器、電池備援系統(BBU)、電源供應器(PSU)、熱插拔與車用高壓市場，推向中高壓與高可靠度規格。驅動器整合MOSFET(Dr.MOS)電源封裝技術的出現，將驅動IC與數顆MOSFET元件封裝於同一晶片模組內，除提高轉換效率，毛利率亦優於傳統MOSFET。另一方面，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第3代半導體材料，相較於矽基MOSFET具備高功率、低損耗特性，也逐漸成為AI應用的升級解方。

目前國際分離式元件與功率半導體龍頭以英飛凌、意法半導體、Rohm等代表推進SiC、GaN及高壓Super junction(SJ)MOSFET 的技術創新與規格升級。英飛凌所推出的全新CoolMOS 8超接面技術，即是專為應對資料中心PSU的600V MOSFET技術的解決方案；羅姆(Rohm)則將研發重兵布局於高壓、低損耗的碳化矽領域，ROHM研發的750V耐壓SiC MOSFET已被用於AI伺服器電源BBU(備用電池單元)之中，SiC MOSFET更已推進至第4代產品。

今年起功率半導體廠商的調價動作頻頻，從TI、英飛凌、亞德諾半導體(ADI)、恩智浦(NXP)再到中國廠商的跟進，台灣廠商簡單以Fabless、封測做區分，各自的受惠幅度有所差異，不過相較於杰力(5299)、力士(4923)及尼克森(3317)等以PC與手機為主的功率IC廠商，成本轉嫁能力有限；廣閎科(6693)、博盛(7712)因布局AI伺服器電源相關領域，且營運聚焦相對高階的車用市場，受惠漲價程度較深。原聚焦風扇驅動IC廠的廣閎科，近年Power MOSFET功率元件營收比重持續遞增，占比已超越驅動IC來到6成以上，今年第2季起反映上游8吋晶圓代工調漲成本，已順利轉嫁，法人預估毛利率將逐季成長；博盛25年以熱插拔 (Hot-Swap)MOSFET系列卡位側邊櫃(Sidecar)中的PSU，BBU相關MOSFET也開始出貨，預計今年上半年將有望放量。

進一步深入探究其他公司，市場對MOSFET族群的定位，富鼎(8261)一直被視為高度仰賴消費性PC與主機板市場的景氣循環股。從近期財報表現與營運數據來看，正在驗證其傳統PC逆風跨向伺服器高壓平台的轉型歷程。富鼎第一季合併營收為7.82億元、年增僅個位數百分點，上季PC相關營收因傳統淡季與客戶備貨調整影響，出現了37%的季度衰退，不過富鼎單季毛利率卻逆勢走強，站上38.1%的歷史新高，獲利結構顯著改善，主要受惠於高毛利的伺服器散熱元件與高功率電源產品線強勁成長。公司預估26年中高壓產品成長力道將大於DC風扇。

從財報表現來看，第一季應用於AI伺服器的DC風扇表現最為亮眼，單季年增幅達111%，營收占比升至35%；高功率SPS(智慧功率級)營收占比則為41%，這兩大產品合計貢獻總營收的76%，不僅成功抵銷PC業務下滑的衝擊，更成為推升整體獲利表現的動能。高壓MOS方面，在韓系代工廠三星的支援下，富鼎以新製程開發高壓MOSFET，同時布局SiC MOS的直流電轉換(DC-DC)元件；中低壓MOSFET則因IDM大廠供應出現短缺，部分訂單外溢，除打入台系兩大散熱廠外，亦打入日本客戶，技術實力開始獲得國際業者青睞。富鼎的競爭優勢還在於背後強大的股東背景—由鴻海(2317)與國巨(2327)合資的國創半導體持有近3成股權，藉由兩大集團的資源整合，加上前台積電大將左大川近期入主董事會，在通路拓展、議價與客戶開發上具備市場競爭力。

如果說富鼎是藉由大股東強大的資源背景，那麼同為台灣MOSFET廠的大中(6435)，則是將其與電源管理IC的母公司茂達(6138)的搭售策略發揮到了極致，茂達以風扇馬達驅動IC全力衝刺資料中心、伺服器客戶，大中則作為功率元件的最佳後盾，更讓大中得以順著母公司的既有通路，將旗下SGT MOSFET(屏蔽柵溝槽MOSFET)產品打包賣進伺服器ODM廠的散熱供應鏈中。值得留意的是，公司提到DR.MOS已大量應用於AI PC當中，做為高整合度、高轉換效率元件，不過，隨著伺服器風扇與馬達驅動元件的需求上揚，營運動能出現轉移，PC應用已明顯從去年底的5成降至41%左右，展望未來，大中未來將持續深耕高階市場，如電池管理系統(BMS)應用的充放電保護、中壓MOSFET，伺服器散熱馬達／風扇用的雙面散熱MOSFET、以及TOLL、LFPAK 88等新式封裝技術。上述2家公司雖然積極切入高壓、高毛利價值產品，但因為消費性應用占比仍高，短期內仍須同步觀察高階MOSFET產品切入的情況。