（１）現象：三星電子公布2026年第三季初步財報，單季營業利益達107.4兆韓元（約802億美元），年增782%，創下歷史首次突破100兆韓元紀錄；單季營收年增127%至195兆韓元。研調機構Counterpoint Research同步將第三季DRAM價格單季漲幅預估上修至10%至20%。

（２）原因：全球雲端服務供應商（CSP）為擴充AI基礎設施展開記憶體搶購潮，國際三大原廠將主要產能轉移至高頻寬記憶體（HBM），嚴重壓縮常規伺服器與PC用標準DRAM產能。原廠定價話語權提升，伴隨客戶提前下單備貨，驅動記憶體報價走入結構性上漲循環。

（３）影響：原廠聚焦高階HBM造成標準型記憶體供給缺口擴大，帶動標準型DRAM現貨與合約價齊步調漲，台灣記憶體製造廠與模組廠坐享價量齊揚與低價庫存回沖利益；此外，原廠為滿足龐大訂單釋出的委外測試與高階封裝需求同步放大。

（４）受影響股票：南亞科(2408)

華邦電(2344)

威剛(3260)

力成(6239)