（１）現象：AI晶片需求持續推升先進製程投資，ASML現行每台約2億美元的EUV設備產能已接近售罄至2027年，新一代每台約4億美元的High NA EUV也陸續獲主要晶片廠採用。三星、SK海力士預計2028年導入量產，台積電則承諾自2030年開始採用，代表High NA正逐步由研發驗證走向大規模量產。

（２）原因：隨先進邏輯與記憶體製程持續微縮，現有EUV面臨解析度與製程複雜度挑戰。High NA EUV透過提高數值孔徑，可印製較現行EUV小約40%的電路特徵，有望降低部分多重圖形化需求、減少製程步驟。儘管設備價格約為現行EUV兩倍，晶片業者過去也曾評估能否透過先進封裝、3D堆疊等方式延緩導入，但台積電、三星與SK海力士相繼確認時程，顯示持續微縮仍是提升晶片效能的重要技術路徑。

（３）影響：High NA正式進入量產導入階段後，影響將不只侷限於ASML設備需求。更高解析度與更精密的製程，也將同步提高光罩、光阻、量測、檢測及製程控制要求，帶動先進製程設備與材料規格持續升級。另一方面，三星與SK海力士預計2028年率先用於記憶體、台積電則規劃2030年導入，也反映High NA應用將從DRAM等記憶體逐步擴大至先進邏輯製程，成為埃米世代製程競爭的重要基礎設備。

（４）受影響股票：台積電(2330)

家登(3680)

帆宣(6196)

辛耘(3583)

弘塑(3131)

中砂(1560)

宜特(3289)

閎康(3587)