（１）現象：比利時微電子研究中心imec攜手ASML及材料供應商，在High-NA EUV微影技術取得新進展，利用產業成熟的化學放大阻劑（CAR），以單次曝光完成22奈米導線間距圖形，較先前28奈米進一步微縮。同時成功驗證SRAM、邏輯金屬佈線、通孔等接近實際晶片設計的複雜結構，顯示CAR有望延續至A14、A10等埃米世代先進製程。

（２）原因：隨製程持續微縮，現行0.33NA EUV在高密度線路逐漸逼近單次曝光極限，若改採多重圖形化，將增加曝光、蝕刻與對位次數，提高製程複雜度及overlay（疊對）誤差。High-NA EUV透過提高數值孔徑提升解析度，但光阻能否承受更小尺寸，一直是量產關鍵。此次imec透過光阻材料與蝕刻製程共同優化，證明成熟CAR仍具進一步微縮空間，不必完全仰賴新型光阻材料。

（３）影響：若High-NA EUV搭配CAR最終進入量產，可望讓A14、A10部分關鍵金屬層與通孔層由多重圖形化重新回到單次曝光，減少曝光、蝕刻及對位步驟，降低製程複雜度並改善良率與生產效率。另一方面，既有CAR若能延續至埃米世代，也代表晶圓廠導入High-NA EUV時不必全面更換光阻平台，有利成熟光阻供應鏈延續；同時先進製程持續微縮，也將提高對EUV材料、光罩、蝕刻、量測與製程控制的技術要求。

（４）受影響股票：台積電(2330)

新應材(4749)

家登(3680)