（１）現象：三星電子在SEMICON Taiwan期間發表最新儲存技術路線圖，規劃中的HBM5效能目標為HBM4E的2倍、熱阻降低20%，預計最快2028年前後量產；同時公開將記憶體垂直疊加於處理器上方的全新架構「zHBM」，效能目標鎖定達HBM4E的8倍。

（２）原因：大型語言模型參數規模急遽放大，晶片與記憶體間的資料傳輸瓶頸及發熱問題成為限制算力發揮的核心阻礙；三星藉由將基礎晶片升級至自研2奈米製程及導入3D垂直堆疊，縮短資料傳輸距離並降低散熱熱阻。

（３）影響：先進封裝與高階散熱在次世代晶片架構的戰略地位顯著拉高，驅使半導體產業加速發展垂直堆疊互連技術，推升高頻寬介電材料、先進封測設備與散熱導熱模組的規格標準。

（４）受影響股票：台積電(2330)

日月光投控(3711)

奇鋐(3017)

健策(3653)