（１）現象：南韓政府宣布由三星電子與SK海力士主導「三大超級計畫」，其中最受市場關注的是合計投資800兆韓元興建四座記憶體新廠，目標在未來五年將DRAM產能提升一倍，並同步擴大HBM封裝、半導體材料與設備布局。不過，市場擔憂未來供給大幅增加，三星、SK海力士股價同步走弱，美光股價也一度重挫逾8%。

（２）原因：AI帶動HBM、DDR5及高容量NAND需求快速成長，促使南韓加速擴充先進記憶體產能，並結合資料中心、AI晶片與機器人等產業發展，鞏固全球半導體競爭力。然而，DRAM與NAND產能具備一定調度彈性，若未來AI需求成長低於預期，新增產能可能造成供過於求，進而壓抑記憶體價格與產業獲利。

（３）影響：南韓大規模擴產顯示全球記憶體競爭已進入新一輪資本支出周期，短期有助於HBM、高階封裝及半導體設備需求，但中長期也提高市場對供給過剩的疑慮。未來AI需求能否持續消化新增產能，將成為全球記憶體景氣循環的重要觀察指標。

（４）受影響股票：南亞科(2408)

華邦電(2344)