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3奈米製程再突破,應材新設備助攻良率提升

全球縮影   2026/06/16

(1)現象:美國半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)發表兩款新一代半導體製造設備,分別為Centris Spectral SiN ALD薄膜沉積系統與Producer Selectra Mo Etch金屬蝕刻系統,鎖定全環繞柵極(GAA)晶體管及高層數3D NAND等先進製程需求。應材表示,相關設備已導入全球重要邏輯晶片與記憶體大廠量產線。受利多激勵,應材股價單日上漲3.27%,再創歷史新高,今年累計漲幅達128%。

(2)原因:隨著AI運算需求快速成長,半導體製程持續朝3奈米以下節點與更複雜的3D結構發展。無論是GAA架構、3D DRAM或超高層數3D NAND,都面臨高深寬比結構加工難度提升、製程控制更加嚴苛等挑戰。沉積與蝕刻技術已成為影響晶片效能、功耗與良率的關鍵環節,因此設備廠商積極推出新技術協助客戶克服製造瓶頸,提高量產效率與良率表現。

(3)影響:此次應材推出的新設備,反映先進製程競爭已從單純縮小線寬,轉向材料工程與3D結構製造能力的競賽。未來3奈米、2奈米乃至A16等更先進製程節點,對高精度沉積、選擇性蝕刻與先進封裝設備需求將持續攀升。隨著全球晶圓廠擴大AI晶片產能投資,半導體設備產業可望進一步受惠,相關供應鏈訂單能見度也有望同步提升。

(4)受影響股票:台積電(2330)

京鼎(3413)

弘塑(3131)

辛耘(3583)

家登(3680)

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