（１）現象：SK海力士宣布在韓國利川M16工廠導入ASML最新量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV，TWINSCAN EXE:5200B），成為記憶體業界首家使用此設備的廠商，進度超越三星與美光。相較於現有EUV（NA 0.33），新設備光學性能提升40%，能製作出精密度1.7倍的電路圖案，並大幅提高DRAM集成度與能效。

（２）原因：隨著AI與高效能運算對記憶體需求激增，微縮技術推進成為關鍵。High NA EUV可簡化製程並提升良率，確保產品性能與成本競爭力。SK海力士藉此強化高階DRAM的研發進度，鞏固在新世代記憶體市場的領導地位，同時也展現ASML在半導體設備市場的技術壟斷優勢。

（３）影響：這項突破將加速記憶體產業的世代交替，可能拉大與尚未導入High NA EUV廠商的差距，進一步推升韓國在全球DRAM供應鏈的話語權。對全球半導體產業而言，高解析度光刻機的普及將推動AI、資料中心與高效能運算應用的產品升級，同時刺激供應鏈上游設備與材料需求。

（４）受影響股票：台積電(2330)

聯電(2303)

力成(6239)

漢科(3402)

家登(3680)

京鼎(3413)

帆宣(6196)