【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠聯電(2303)因應客戶需求持續成長，董事會通過分階段擴產計畫，包括將擴建新加坡Fab 12i廠四期（P4）廠區無塵室產能，並同步於台灣南科Fab 12A廠展開新廠外殼工程，作為未來七期（P7）及八期（P8）廠區基地。

　聯電表示，此項擴產計畫目標滿足客戶近期需求、奠定公司長期產能版圖，以掌握AI與邊緣運算等高成長領域商機，將大幅縮短未來產能建置所需時間，並確保資本支出與客戶長期承諾緊密連結，並據此將2026年資本支出預期自15億美元調升至20億美元。

　聯電董事長洪嘉聰表示，生成式AI的崛起與快速發展從根本重塑科技產業格局，加速推升市場對高效能、高頻寬及高度系統整合技術的需求。聯電此項擴產計畫目標透過兼顧速度、彈性與資本紀律的分階段策略，確保我們持續滿足市場需求。

　洪嘉聰指出，聯電將在新加坡Fab 12i廠四期（P4）廠區投資建置無塵室及採購設備，以擴充矽光子（Silicon Photonics）產能。由於廠房外殼已完工，集團得以及時且有效率的擴建，以滿足客戶日漸成長的需求。

　而聯電在台灣亦將於南科Fab 12A廠區興建全新晶圓廠，做為七期（P7）及八期（P8）廠區基地，為聯電與客戶共同推進長期產品藍圖與技術發展奠定穩固基礎。洪嘉聰表示，上述2項投資將共同提升聯電在次世代雲端與邊緣AI應用中關鍵技術的量產製造能力。

　聯��指出，台南新廠將強化台灣作為集團全球頂尖製造與前瞻研發基地的地位，並擴大先進封裝領域布局。新加坡P4廠區擴建則將進一步鞏固新加坡作為海外最大生產基地角色，支持供應鏈韌性所需的地理多元化布局，同時推動包括矽光子在內的先進技術發展。

　聯電執行長王石在法說時透露，雖然目前尚無最終整體投資規畫金額，但董事會針對未來2～3年已核准的整體資本支出規模約50億美元，聯電將分階段推進擴產計畫，並依據客戶承諾、訂單取得情況及市場需求，彈性調整後續投資節奏。

　聯電表示，分階段擴產計畫使聯電得以維持嚴謹資本紀律，在降低前期折舊負擔之際，確保在AI驅動的未來維持領先地位。折舊金額方面，財務長暨發言人劉啟東表示，預期今明2年均將維持11～13％（low teens）年增率，2028年則需視屆時資本支出規模而定。